115 年 115年公務人員高等考試三級考試暨普通考試・電路學與電子學 申論 4如下圖，假設BJT 操作在主動區（Active region），其BJT 參數為β ，V25 mV，VV，導通時V0.7 V，飽和區V0.2 V，主動TABECE區V0.2 V。CE㈠求此電路在極高頻時，小訊號增益v /v(V/V )為何？（15 分）osig㈡在不會進入飽和區的前提下，R 的最大值為何？（10 分） 看答案與解析