高普考題庫
115 年 115年公務人員高等考試三級考試暨普通考試・電子學概要
申論 4如下圖NMOS 電晶體之參數,Kn = μC(W/L) = 0.5 mA/V2,V = 1 V,oxtV = ∞,且不考慮基底效應(Body Effect)。A㈠求出I 值。(10 分)D㈡求出gm 值。(5 分)㈢求算此電路之小訊號增益(V/V)值。(10 分)oi10 V10 V3 kΩ∞V∞iVo2 kΩ 1 kΩ