115 年 115年公務人員高等考試三級考試暨普通考試・半導體工程 申論 3溫度等於300 K 時，考慮一個矽的pn 陡接面二極體，其p 型區的摻雜濃度N1017cm3，與n 型區的摻雜濃度N1016cm3。已知電子電荷ADq1.6 1019C；熱電壓kT /q 0.026 V；本質載子濃度n1.5 1010cm3；i8.854 1014F/cm；3.9；11.7。請回答以下兩子題：0SiO20Si0㈠無外加偏壓時，計算此pn 二極體之內建電位、空乏區寬度與最大內建電場？（15 分）㈡逆向偏壓1 V 時，計算此pn 二極體之電子能障與接面電容？（10 分） 看答案與解析