94 年 094年公務人員高等考試三級考試暨普通考試第二試・半導體工程 申論 3請繪出以下之能帶圖：（每小題5 分，共10 分）㈠N+ -AlGaAs與本質之GaAs㈡N+ - AlGaAs與p-GaAs（假設AlGaAs能隙為1.85 eV，GaAs能隙為1.42 eV，∆Ec=（2/3）∆Eg） 看答案與解析