高普考題庫
95 年 095年公務人員高等考試三級考試暨普通考試・半導體工程
申論 3一個發光二極體其材料特性如圖一,此元件電-光轉換效率為4 nn(1-cosθ)/(n+n)2,12c12其中n 為空氣折射係數,n 為半導體折射係數,θ 為臨界角,求AlGaAs 發光12c0.30.7二極體操作在0.898 µm 之效率。(20 分)3.0 E=3.018hv=1.38g3.5T=297K)2.168Eg=1.9 neVRefractive index(IndirectEgbandBandgap Direct3.2bandEg=1.424A1xGa1-xAs3.0T=297KGaAsAlAsGaAsAlAsMole fraction AlAs, xMole fraction AlAs, x(a) (b)圖一 發光二極體材料特性