96 年 096年公務人員高等考試三級考試暨普通考試・電子學概要 申論 3圖2 所示為一增強型NMOS 電晶體的截面圖。（20 分）㈠試說明其工作原理。㈡試繪圖說明i-v（汲極電流-汲極電壓）的特性曲線。DDS㈢試標示特性曲線中不同區域。源極(S)閘極(G)汲極(D)氧化層(SiO)金屬n+n+通道區Lp 型基板(本體)本體(B)圖2年公務人員普通考試試題 代號：43660 （背面）類 科： 電力工程、電子工程科 目： 電子學概要 看答案與解析