113 年 113年公務人員高等考試三級考試暨普通考試・半導體工程 申論 4矽半導體n 通道金屬-氧化物-半導體場效電晶體（MOS-FET）之閘極長度L = 1.25 μm、電子遷移率μ = 650 cm2/V-s、臨界電壓V = 0.65 V、nth閘極氧化層電容C = 6.9 × 10F/cm，且測得在閘-源極偏壓V = 5 VoxGS之汲極飽和電流（I）值為8 mA。試求閘極寬度（W）為何？（20 分）D, sat 看答案與解析