96 年 096年公務人員高等考試三級考試暨普通考試・半導體工程 申論 3Si 於電漿中被蝕刻是根據以下之反應：Si(s) + 2Cl(g) → SiCl(g)。若通入氯氣流量為100 sccm，請問理論之200 mm 直徑之矽晶圓最大蝕刻率為多少？（Si atom weight: 28.09，Density: 2.329 g/cm3）（15 分） 看答案與解析