96 年 096年公務人員高等考試三級考試暨普通考試・半導體工程 申論 5從下表之<100>Ｓi 於TMAH 之蝕刻速率，求其蝕刻之活化能（activation energy）。（10 分）Temp（oC） Rate（µm/hr） 看答案與解析