高普考題庫
98 年 098年公務人員高等考試三級考試暨普通考試・半導體工程
申論 7一層厚度100 nm 的矽薄膜,如果要用氧化的方式,將Si 厚度減薄到50 nm,請問需要成長多厚的氧化層?(10 分)