99 年 099年公務人員高等考試三級考試暨普通考試・半導體工程 申論 3有一p-n接面，如果逆向偏壓1V時候的電容值是1 nF/cm2，請問總空乏區寬度是多少？（15 分）（提示：ε(Si) = 11.7，ε= 8.854×10-14 F/cm）ro 看答案與解析