100 年 100年公務人員高等考試三級考試暨普通考試・半導體工程 申論 2在一均勻半導體材料中，其本質載子濃度（intrinsic carrier concentration）為n、i本質費米能階（intrinsic Fermi energy）為E、費米能階（Fermi energy）為E，當iF絕對溫度為T，而Boltzmann常數為k時，其自由電子（electron）濃度n為何？電洞B（hole）濃度p為何？若此半導體材料為n型，其摻雜濃度N為1016/cm3而n= 1.45Di× 1010/cm3時，求電洞之濃度。（10 分） 看答案與解析