高普考題庫
101 年 101年公務人員高等考試三級考試暨普通考試・電子學概要
申論 1一個pn接面其摻雜濃度為N= N= 1016/cm3,接面的截面積為100 μm2,假設本質A D濃度n= 1010/cm3。i㈠計算接面的內建電壓(built-in voltage)。(5 分)㈡當未加外加電壓時,求空乏區寬度(W),以及它伸展入p區及n區的寬度。(5dep分)㈢求儲存在接面任一邊的電荷大小。(5 分)㈣計算接面電容C。(5 分)j(註:矽材料之介電係數為11.7ε = 1.04 × 10-12 F/cm,V= kT/q = 0.025V)0T1FETV= 2Vk ′(W/L) = 1 mA/V2V= 4VV = 10V