101 年 101年公務人員高等考試三級考試暨普通考試・半導體工程 申論 2下圖是砷化鎵的能帶結構圖。㈠請說明n 型砷化鎵為何會顯現負微分遷移率（negative differential mobility）。（9 分）㈡請由你的說明歸納出半導體會具有負微分遷移率的幾個必要條件。（9 分）GaAs 傳導帶較高能谷ΔE=0.31較低能谷Eg價電帶[111]0[100] 看答案與解析