申論 5下圖為一實現光電式血管容積變化描記法（Photoplethysmography）的電路。假設該發光二極體（Light emitting diode）的順向電壓（Forward voltage）為2 伏特，順向電流（Forward current）為13 mA。並假設該光電晶體（Phototransistor）的工作點（Operating point）為V= 1 V，I= 140 μA。請問：CE C㈠電路中的R1 和R2 應分別採用多大的電阻值才符合需求？（10 分）㈡假設發光二極體（Light emitting diode）所發出的光線波長可穿透手指，但是會被動脈內的血液部分吸收。假設動脈的搏動會造成光電晶體（Phototransistor）的電流IC有加減1 μA 的變化。若欲將此動脈的搏動信號放大至正負1 伏特的範圍，則v之後o應有那些電路？其規格為何？（以方塊圖呈現即可，但是要說明原因。）（10 分）ICR1R2v+o發光15 V V二極體 CE光電晶體手指