申論 4圖三所示放大器電路中，MOSFET 電晶體製程參數如下：k’ = μC = 800 μA/V2，nnoxk’ = μC = 450 μA/V2，輸出電阻r 為200 kΩ；所有的電晶體尺寸W/L = 10，ppoxoI = 100 μA。假設M的內部寄生電容C = 20 f F ，C = 5 f F ，負載電容C = 25 f FREF1gsgdL且C已涵蓋M所引入之所有寄生電容，R = 10 kΩ。L2sig㈠忽略寄生電容，試求放大器之電壓增益v/ v =？（10 分）o i㈡使用米勒定理，計算此放大器之高頻3 dB 頻率f。（10 分）H㈢使用開迴路時間常數法，計算此放大器之高頻3 dB 頻率f。（10 分）HVDDMMvoRsigvMIi 1 CLREF圖三