104 年 104年公務人員高等考試三級考試暨普通考試・半導體工程 申論 6在電漿（plasma）應用製程中，兩電極間加上RF，因電子移動速度較離子快，會形成電漿電位（plasma potential）V，令電漿相對RF 電極之直流壓降（DC bias）為PV，相對接地電極之直流壓降為V，RF 電極面積為A，接地電極面積為A，其xyxy中 A = n A，關係式為 V/V = n4。已知兩電極間之自偏壓（self-bias）為V 的yxxyy1.25 倍，V = 20 V，請求出：P㈠n =？（8 分）㈡DC bias =？（7 分） 看答案與解析