105 年 105年公務人員高等考試三級考試暨普通考試・半導體工程 申論 2若有一理想n 型矽半導體與一理想矽pn 接面二極體，其元件結構如圖2 所示。（每小題10 分，共20 分）㈠請繪出此兩個元件於照光（光能量>矽能隙寬度）前與後的I-V 特性曲線。㈡比較兩個元件於照光下的I-V 曲線，說明其不同處及造成兩者差異之原因。I+ V －I+ V －圖2105年公務人員高等考試三級考試試題 代號：26480類科：電子工程科目：半導體工程 看答案與解析