105 年 105年公務人員高等考試三級考試暨普通考試・半導體工程 申論 5若以SiO 為遮罩材料（開口尺寸為3μm×3μm）並採用KOH 溶液分別蝕刻（100）與（110）晶面矽基板。㈠請繪出蝕刻深度為0.707 μm 時所得蝕刻圖形的剖面圖（須標示蝕刻圖形之尺寸、蝕刻面及角度）。（15 分）㈡請說明何以得到此種蝕刻圖案之原因。（5 分） 看答案與解析