106 年 106年公務人員高等考試三級考試暨普通考試・電子學 申論 1圖一電路V = + 5 V，R = 4 kΩ，R = 8 kΩ，R = 4 kΩ，MOSFET 之臨界電壓DDDG1G2（threshold voltage）V = 0.75 V，製程參數k =k′ (W/L) = 8 mA/V2，求算I以及tnnDMOSFET 轉導（transconductance）g 之值。（20 分）mVDDRDRG1IDRG2圖一 看答案與解析