106 年 106年公務人員高等考試三級考試暨普通考試・半導體工程 申論 8在積體電路製造技術中，採用的絕緣技術有局部氧化（Local Oxidation of Silicon,LOCOS）和淺溝槽絕緣（Shallow Trench Isolation, STI），請分別說明局部氧化與淺溝槽絕緣的製作技術、缺點與應用在那一種線寬製程？（20 分） 看答案與解析