107 年 107年公務人員高等考試三級考試暨普通考試・半導體工程 申論 4假設在矽（Si）半導體中，其電子濃度依位置x 變化之分布函數可表示為n(x)1015e−x/Lcm−3(x0)diffusion lengthL10 −4cm=n ≥，電子之擴散長度（）=，電ndiffusivityD25cm2s/q6.110−19Cx2μm子之擴散率（）=，單位電量=×。試求在=n處，電子擴散電流密度J=？（10 分）n 看答案與解析