108 年 108年公務人員高等考試三級考試暨普通考試・半導體工程 申論 4㈠成長二氧化矽（SiO2）薄膜的方式通常都使用熱氧化法（thermaloxidation），熱氧化法又分乾氧化（dry oxidation）與濕氧化（wetoxidation），請解釋為什麼濕氧化的成長速率大於乾氧化的成長速率？（10 分）㈡在一光學微影製程（photolithography）系統，假如透鏡的直徑為5.0 cm，透鏡至影像的距離為7.0 cm，若使用的紫外光波長為350 nm，則此系統的最小線距解析度（line resolution）為何？（10 分） 看答案與解析