110 年 110年公務人員高等考試三級考試暨普通考試・輻射度量 申論 7計算1-MeV 質子:(每小題5 分,共15 分)㈠完全能量沉積在游離腔中產生電子-正離子對數。㈡完全能量沉積在矽半導體偵檢器中產生電子-電洞對數。㈢在空氣中和在矽中相同的能量沉積產生電荷載體的比例。 看答案與解析