高普考題庫
111 年 111年公務人員高等考試三級考試暨普通考試・電子學概要
申論 3矽晶的原子密度為5 1022/cm3,電子本質濃度n = 1.5 1010/cm3,此矽i晶摻雜硼(三價元素),濃度為1/108。圓柱體矽晶樣本長度L,截面積為A = 1 cm2,兩端施加電壓V,則其內部電場為E = V/L。樣本中之電洞與電子受此電場作用而獲得移動速度分別為v = E 與v = –E,其中ppnnp與 稱為遷移率(cm2/Vs)。純質矽晶 = 475 與 = 1400,摻雜質之矽npn晶 = 375 與 = 1000。電量為Q 的帶電粒子在t 時間移動距離x,其pnv = x/tI = Q/tq = 1.6 10–19速度為,電流量。單一電子帶電量庫侖。求算此純質矽晶與摻雜硼之矽晶每單位長度電阻值,註明單位。(20 分)