111 年 111年公務人員高等考試三級考試暨普通考試・半導體工程 申論 6對於 二極體，其中載子濃度為A， 載子濃度為D。請問空乏區（W）主要發生在那一部分？（5 分）請寫出空乏區與載子濃度之關係式。（5 分）此說明可用何種電容量測方式分析載子濃度與p + n 二極體相關之元件的那種特性？（ μ10 分）4m2 MOS10 nmSiO 看答案與解析