114 年 114年公務人員高等考試三級考試暨普通考試・半導體工程 申論 5㈠近代矽製程多使用離子布植（ion implantation）技術製作淺接面（shallow junction），之後再以快速熱退火（rapid thermal annealing,RTA）進行後續處理。請說明使用快速熱退火的原因。（10 分）㈡一般傳統使用汞燈光源的黃光微影製程技術有接觸（contact）式、近接（proximity）式兩種，請比較其優缺點。（10 分） 看答案與解析