申論 1圖一電路V = + 5 V，R = 4 kΩ，R = 8 kΩ，R = 4 kΩ，MOSFET 之臨界電壓DDDG1G2（threshold voltage）V = 0.75 V，製程參數k =k′ (W/L) = 8 mA/V2，求算I以及tnnDMOSFET 轉導（transconductance）g 之值。（20 分）mVDDRDRG1IDRG2圖一
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申論 2圖二中電晶體偏壓於主動區，其小訊號參數g、r、r、β = gr 為已知，v 為外加電mπomπsig壓訊號源。畫出圖二電路的小訊號等效電路，並列式推導R 之數學式，以R、R、RoECsig及電晶體小訊號參數表示。（20 分）VCCRCvoRsigRvosigRE圖二106年公務人員高等考試三級考試試題 代號： |類科：電力工程、電子工程、電信工程科目：電子學
申論 3圖三中電晶體偏壓於飽和區，小訊號參數g = 2.4 mA/V，r = 10 kΩ，寄生電容moC = 5/π pF 與C = 0.35/π pF。取R = 0.4 kΩ，R = 20 kΩ，C = 0.5/π pF。低頻時其gsgdsigLL輸入電阻R 與輸出電阻R 公式如圖所示。以開路時間常數法估算此放大器增益inoA = v/v 之高頻3-dB 頻率，以Hz 表示，忽略電晶體之body effect。（20 分）vosigvor+RR= 1oLin+grR CmoLLRRrRgrRsig=++oosigmosigRv osigRin圖三
申論 4圖四(a)運算放大器開路增益A = v/v = 20 V/V，其他特性均為理想；放大器A 之v-vvisaoi轉換曲線如圖四(b)。畫出v-v 大訊號操作之轉換曲線，必須標示各線段之轉折點電os壓與斜率，並詳列數學式說明所得之各數據。（20 分）vov vsiA A v 2vao－2 V 1vi+3 V(a) (b)圖四
申論 5圖五反相器之高低電位輸入雜訊邊限（noise margin）分別定義為NM = V – V 與HOHIHNM = V – V，其中V 與V 為其v-v 轉換曲線斜率為–1 時之輸入電位，V 與LILOLILIHoiOHV 分別為反相器輸出之高低電位，且輸入為V 與V 時其輸出分別為V 與V。OLOHOLOLOH電晶體Q 之製程參數k′ (W/L) = 2 mA/V2，V = 0.8 V，r = ∞。V = 1.6 V，R = 20 kΩ，ntoDDD求算其V、V、V 與V。（20 分）OHIHILOL+VDDRDvov Qi圖五