申論 1請說明影響半導體移動率（Mobility）的兩種主要機制，並說明這兩種機制對半導體的溫度效應。（10 分）
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弱點分析
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申論 2二極體（Diode）的理想順偏電流對電壓（I-V）特性為下圖中的曲線(a)。若有兩顆二極體分別具有下圖中順偏電流對電壓曲線(b)和(c)，請說明這兩顆二極體分別具有什麼特性？（10 分）(mA) (a)二極體電流4.0 (b)(c)二極體電壓(V)
申論 3對於雙極性電晶體而言，何謂「貫穿效應（Punch Through Effect）」？它會對電晶體造成什麼影響？（10 分）
申論 4雙極性電晶體工作在高集極電流（I）下，請說明此電晶體在什麼情況下會出現科克C效應（Kirk Effect）與準飽和效應（Quasi-Saturation）？（10 分）
申論 5請分別說明下列n-型通道元件的臨界電壓（Threshold Voltage，V）之定義，並說明其th臨界電壓為正值或負值：㈠空乏型場效電晶體（Depletion-Type Field-Effect Transistor），㈡加強型場效電晶體（Enhancement-Type Field-Effect Transistor），㈢高電子遷移率場效電晶體（High-Electron-Mobility Transistor, HEMT）。（15 分）
申論 6對於金屬-氧化層-半導體的場效電晶體（Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor）而言，何謂「氧化層充電（Oxide Charging）」？它對長通道與短通道的場效電晶體分別會造成什麼影響？（15 分）
申論 7什麼是準費米能階（Quasi-Fermi Level）？它和費米能階（Fermi Level）有什麼不同？（10 分）
申論 8在積體電路製造技術中，採用的絕緣技術有局部氧化（Local Oxidation of Silicon,LOCOS）和淺溝槽絕緣（Shallow Trench Isolation, STI），請分別說明局部氧化與淺溝槽絕緣的製作技術、缺點與應用在那一種線寬製程？（20 分）