申論 1圖一(a)電容C 之電壓 v(t)，已知v(0) = 0，τ = RC，二極體D 具有理CC想特性，導通電壓為 0 V，v(t) 為從 t = 0 開始，週期 T 之方波如圖S一(b)，e –Τ/2τ = 0.9，–3 V 直流電池之內阻R<< R，且τ = RC << T。在S SS0 < t < 2T 區間，推導並畫出v(t)之波形。（20 分）L
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弱點分析
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申論 2圖二放大器中，Q 與Q 製程參數為k’ = 2k’ = 2 mA/V，(W/L) =12npp18×(W/L) = 360，|V| = 1.2 V，|V| = 0.8 V，不考慮Early effect。使Qntntp2具放大器功能時，推導並畫出v- v 轉換曲線，須註明範圍以及線段之I O斜率。（20 分）
申論 3圖三放大器僅顯示交流分析所需要的元件，電晶體參數g = 30 mA/V，mr = 2 kΩ，r = 36 kΩ。R = 12.6 kΩ，R = R = 36 kΩ，R = R = 4 kΩ，πoSB1B2C1C2R = R = 1 kΩ，R = 0.9 kΩ，C→ ∞。㈠C, C, C 之容值均→ ∞，E1E2LE C1C2C3求算電壓增益A = v/v。（10 分）㈡C = 25/18 μF，C = 25/27 μF, CvosC1C2C3= 20/23 μF，估算增益頻率響應之低頻3-dB 點，可利用10/π ≈ 3.18 計算近似結果。（10 分）
申論 4圖四放大器R = R = R = 1 kΩ，R = R = 2 kΩ，R = 8 kΩ，R = 7 kΩ，13o2i12i2o1A = 10 V/V，A = 5 V/V。求算放大器之輸入電阻R、輸出電阻R、以12ifof及電壓增益A = v/v。（20 分）vos
申論 5圖五邏輯閘電路輸入訊號v 之高、低電位分別為+5V、0V，C 為負載電IL容，電晶體之|V| → ∞，不考慮body effect，其中Q 與Q 之β = 50，且A12導通時|V| = 0.7V；Q 與 Q 之臨界電壓|V| = |V| = 0.8 V，k = 2.5k =BEPNtptnnp0.2 mA/V2，(W/L) = 1。㈠在 v = +5 V 與0 V 的穩態時，v 之電位、nIOQ 與Q 之工作區各為何？（10 分）㈡v = +2.5V 為此邏輯閘的臨界PNI電壓，此時所有晶體導通，Q 與Q 電流相同，Q 與Q 集極電流亦相PN12同，求算(W/L) 之值與Q 集極電流。（10 分）p1