高普考題庫
108 年 108年公務人員高等考試三級考試暨普通考試

材料科學導論

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本卷皆為申論題，點「看答案與解析」查看擬答。

申論 1㈠請寫出七大結晶構造系統中之最對稱與最不對稱結晶構造之中文及英文名稱。（8 分）㈡請寫出上述兩種結晶構造之結構特徵，且敘述其邊與角之關係。（8 分）㈢請寫出tetragonal 結晶構造之結構特徵，且敘述其邊與角之關係。（4 分）
申論 2㈠X 光繞射為分析材料晶體結構的重要方法，請自行畫圖及列式證明Bragg’sLaw。（10 分）㈡某一材料為BCC 結構，其晶格邊長為0.26 nm，若X 光波長為0.154 nm，反射order 為1 時，請計算（222）面的面間距。（10 分）
申論 3請說明下列物質為單結晶、多結晶或非晶質：（每小題4 分，共20 分）㈠矽晶圓㈡矽砂㈢鋁門窗的鋁㈣電線中的銅㈤玻璃
申論 4㈠當B 加入Si 中進行摻雜反應後，在原主體材料中是否會產生新的電子或電洞之點缺陷，請說明其理由。（5 分）㈡當ZnO 加入AlO 中進行摻雜反應後，在原主體材料中是否會產生新的電子或電洞之點缺陷，請說明其理由。（5 分）㈢請寫出一般缺陷數量與溫度的關係式。（4 分）㈣請提出三種減少缺陷的方法。（6 分）
申論 5㈠請畫出銀與銅的相圖。該相圖中有產生一個eutectic point，且少量的銀在銅中會形成銅的固溶體α，少量的銅在銀中會形成銀的固溶體β。（8 分）㈡請畫出各區域中為何種相存在。（12 分）