申論 1㈠何謂歐傑複合（Auger recombination）效應？它通常發生於何種狀況？（10 分）㈡由p 型矽（Si）半導體與銅（Cu）形成蕭特基接面（Schottky junction），假如銅的功函數（work function, q）為4.5 eV，矽的電子親和力m（electron affinity, q）為4.05 eV，矽的能隙（E）為1.12 eV，矽的Sig功函數（work function, q）為4.9 eV。請計算此蕭特基接面的能障值Si（barrier height, q）與內建電位值（built-in potential, qV）。（10 分）Bbi
本卷皆為申論題，點「看答案與解析」查看擬答。
弱點分析
未作答的題目不計分。看我的紀錄
申論 2一般p-n 二極體的等效電路模型如下圖所示，㈠在順向偏壓下，請說明兩個電容C 和C 的來源為何？（10 分）㈡請說明兩個電阻R 和R 的來源為何？（10 分）SPRSRPC1C
申論 3㈠對一工作於主動模式（active mode）的npn 雙極性電晶體，假設基極對射極的偏壓為V，基極寬度為W，W 遠小於電子的擴散長度，BEBB且電子在基極的擴散係數為D，電子電荷為q。今電子由射極進入基n極，在射極與基極的電子濃度為n(0)，在基極與集極的電子濃度為pn(W)，請寫出在基極的電子電流密度方程式。（10 分）pB㈡通常較高值的厄利電壓（Early voltage, V）可以得到較高值的電壓增A益。如果我們以下列三種方式設計雙極性電晶體以增加厄利電壓：增加基極寬度，增加基極濃度，減少集極濃度，請說明那一種方式可以得到較高值的電流增益（）？請說明理由。（10 分）
申論 4㈠以短通道（short channel）的金氧半場效電晶體（MOSFET）為例，請說明短通道長度對臨界電壓的影響。（10 分）㈡以金氧半場效電晶體為例，請說明次臨界電流（subthreshold current）的定義。（10 分）
申論 5㈠和化學氣相沉積（atomic layer deposition, ALD）技術相比較，請說明原子層沉積技術的優點與缺點。（10 分）㈡請解釋電遷移（electromigration）現象，並說明如何改善此現象。（10 分）