高普考題庫
111 年 111年公務人員高等考試三級考試暨普通考試

材料分析

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申論 1以X 光繞射原理來探討結晶性材料的結晶結構：㈠請說明影響無順向性且單一結晶結構材料繞射強度的主要參數。（20 分）㈡若此單一結晶結構屬面心立方晶系，請說明米勒指數均為奇數、均為偶數，或奇偶摻雜的條件下之對繞射強度的影響。（15 分）
申論 2㈠請說明拉曼光譜儀分析材料化學結構的原理。（10 分）㈡請比較拉曼光譜儀中斯托克（Stokes）與非斯托克（Anti-Stokes）兩種拉曼散射頻率、能階與強度之差異。（15 分）
申論 3請說明：（每小題10 分，共20 分）㈠X 光光電子能譜圖（XPS）可用來解析材料表面之化學價態之原理。㈡感應耦合電漿發射光譜圖（ICP-OES）可用來解析微量元素分析之原理。
申論 4請說明掃描式電子顯微鏡呈像模式中二次電子影像（SEI）與背向散射電子影像（BEI）之優缺點。（20 分）