申論 1圖一(a)中放大器A、B 與加法器均為線性電路，輸入阻抗= ，輸出阻抗= 0。A 與B 之輸入電壓弦波v，輸出分別為v 與v，相加得振幅3 2 之v。inabout求算B 之放大倍率G 以及v 相對於v 訊號之相位角。（20 分）Bbin
本卷皆為申論題，點「看答案與解析」查看擬答。
弱點分析
未作答的題目不計分。看我的紀錄
申論 2二極體I-V 特性曲線如圖二(a)，求算圖二(b)電路消耗於二極體D 與電阻R 的時平均功率，V = 5 sin t V，V = 1.8 V，R = 20 。（20 分）Sa
申論 3矽晶的原子密度為5 1022/cm3，電子本質濃度n = 1.5 1010/cm3，此矽i晶摻雜硼（三價元素），濃度為1/108。圓柱體矽晶樣本長度L，截面積為A = 1 cm2，兩端施加電壓V，則其內部電場為E = V/L。樣本中之電洞與電子受此電場作用而獲得移動速度分別為v = E 與v = –E，其中ppnnp與 稱為遷移率（cm2/Vs）。純質矽晶 = 475 與 = 1400，摻雜質之矽npn晶 = 375 與 = 1000。電量為Q 的帶電粒子在t 時間移動距離x，其pnv = x/tI = Q/tq = 1.6 10–19速度為，電流量。單一電子帶電量庫侖。求算此純質矽晶與摻雜硼之矽晶每單位長度電阻值，註明單位。（20 分）
申論 4圖三運算放大器的輸入電阻R = 100 k，輸出電阻R = 50 ，低頻開路io電壓增益A = 10V/V，頻率響應有一個極點f = 50 Hz。畫出此運算放op大器的等效電路並標出所有元件數值，再求算圖三電路的低頻電壓增益A = v/v 與其3-dB 頻寬。（20 分）voi圖三
申論 5圖四v 與v 分別是放大器輸入與輸出的小訊號電壓，I 是偏壓電流源，ioSR = R = 1 k；Q 與Q 操作於飽和區，g = 0.8 mA/V，g = 0.5 mA/V，SD12m1m2r = r = 3 k，k’(W/L) = 2k’(W/L) = 1 mA/V2，忽略body effect。o1o2n1p2（每小題10 分，共20 分）㈠當I 含有雜訊電流i，求算R = v/i，註明單位。Smo㈡I 為理想電流源，求算電壓增益A = v/v 與A = v/v。Sv1xiv2ox圖四