申論 1一未知核種X 的衰變結構如圖（一）所示，圖（一）㈠請說明此X 核種是那一種衰變（decay）並說明此衰變？此X 核種衰變時釋出粒子的最大能量是多少keV？（15 分）㈡將此X 核種製成適當活度的點射源，並置於鉛屏蔽內的碘化鈉偵檢器表面，所量測到的能譜如圖（二），請說明圖中①至⑥箭頭標示區域能譜特徵的形成原因。（12 分）圖（二）
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弱點分析
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申論 2一表面污染偵檢器，偵測窗面積100 cm2，計測時間設定訂為10 s，此偵檢器對 粒子的偵測效率經校正得0.5 counts/，其標準不確定度是β10%，以此偵檢器量測2 個月前疑似受Sr-90 均勻污染之桌面，若背景ββ計數值是121，量測污染桌面之計數值（未扣除背景）是196， 射源污染桌面的射源效率（向上射出的 粒子數／核種產生的 粒子數）是0.5。若量測品質目標是將偽陽性率（false-positive probability）及偽陰性率（false-negative probability）皆設定在不大於5%，請計算：㈠此表面污染偵檢器的最低可測淨計數率是多少counts/s？（10 分）㈡桌面Sr-90 活度量測結果及其標準不確定度是多少Bq/cm2？（15 分）
申論 3一薄膜射源含有Am-241（每次衰變釋出1 個 粒子）與Cl-36（每次衰π變釋出1 個 粒子），此兩核種自薄膜射源表面釋出的帶電粒子皆為每秒1000 個，將此薄膜射源置入一「4 無窗充氣式比例計數器」中，此比例計數器對帶電粒子的偵測效率是100%且對光子不敏感。（每小題10分，共20 分）㈠請繪出此射源條件下，比例計數器操作電壓曲線（以每秒計數率為縱αβ軸，電壓為橫軸）並說明此曲線。㈡若此薄膜射源對Am-241 的 粒子的射源效率是0.5，對Cl-36 的 粒μ子的射源效率是0.8 ，且此比例計數器量測系統有非麻痺型（nonparalyzable）無感時間10s，請問此薄膜射源中Am-241 及Cl-36 的活度各為幾Bq？註：射源效率=（自射源表面射出的粒子數／射源內核種衰變產生的粒子數）。
申論 4列舉兩種氣體，可作為慢中子量測的比例計數器，並說明其工作原理。（10 分）
申論 5一理想Cs-137 點射源，置於半徑3 cm 的半導體偵檢器正前方30 cm 處。已知此量測條件下，偵檢器對Cs-137 的662 keV 加馬射線的固有能峰效率（intrinsic peak efficiency）是10%。㈠請計算662 keV 能峰的絕對計測效率（以百分比表示，計算過程及結果皆取到小數點下第3 位）。（10 分）㈡若在1000 秒的計測中，收集到的能峰面積是8500 個計數，請計算Cs-137 射源的放射活度。（8 分）
申論 7註：662 keV 加馬射線的分支比（每次衰變射出的加馬射線數）= 0.85