申論 1請繪出下圖電路之：㈠戴維寧等效電路（Thévenin equivalent network）含電壓及電阻。（15 分）㈡諾頓等效電路（Norton equivalent network）含電流及電阻。（10 分）
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弱點分析
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申論 2下圖由電阻及電容所構成之電路，其R90 k，R10 k，C100 pF。㈠請畫出其頻率響應之波德圖（Bode Plot）。（10 分）㈡求算零點( rad/s)。（10 分）Z㈢求算極點3-dB 的頻率( rad/s)。（5 分）PVo/Vi(dB)(rad/s)(log scale)
申論 3如下圖NMOS 放大器，其MOS 參數為KC(W/L)，g2K I，nnoxmn D假設VV且不考慮基底效應（Body Effect）。（註：請注意正負號）A㈠求此電路在時，小訊號增益v /v(V/V )為何？（15 分）osig㈡推導其轉移函數H (s )v (s )/v(s )，sj。（10 分）osig
申論 4如下圖，假設BJT 操作在主動區（Active region），其BJT 參數為β ，V25 mV，VV，導通時V0.7 V，飽和區V0.2 V，主動TABECE區V0.2 V。CE㈠求此電路在極高頻時，小訊號增益v /v(V/V )為何？（15 分）osig㈡在不會進入飽和區的前提下，R 的最大值為何？（10 分）