申論 1如圖一所示之電路，設 β = 50，RB = 640Ω，RC = 440Ω，VCC = +5 V。（20 分）㈠若V= 0.2 V時；試求V、I、I及消耗在電晶體中的功率。I oBC㈡若V= 3.6 V時；試求V、I、I及消耗在電晶體中的功率。I oBCVCC = +5VRC=440ΩVoRB=640ΩVI圖一
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弱點分析
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申論 2如圖二所示電路，已知FET參數g= 1 mS，r= 20 kΩ，求如圖二具迴授 （m dfeedback）情況下之g (=I/V)及A (=V/V)各為多少？（20 分）mfOSvfOSVDD10kΩVoVs470Ω圖二
申論 3圖三為移相振盪器（Phase-shift oscillator），求其振盪頻率（以R及C表示），並請問若要振盪，R應符合什麼條件？（20 分）RC C C R－ VoR R +圖三科 別： 電力工程、電子工程科 目： 電子學
申論 4試求圖四中MOSFET電路的低頻電壓增益為何？（已知g= g= g）。（20 分）m1 m2 mVDDRDVORQ1 Q2+VS －I圖四
申論 5假設圖五中之威爾遜電流鏡所有的BJT都匹配，β 為有限值，而且Q1 與Q2 的射極電流均為I，試以I求出I及I的表示式，並計算I/ I。（20 分）EEREFOO REFIoIREFQ3Q2 Q1圖五-VEE