申論 1有一矽試片摻雜濃度1.5×1015cm-3之硼離子，與濃度8×1014cm-3之砷離子：㈠請問此試片是n 型或p 型？（5 分）㈡請計算電子與電洞濃度。（10 分）㈢計算全部之離子濃度。（5 分）（矽之本質濃度為1.5×1010cm-3）
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弱點分析
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申論 2金屬與半導體之接面有那兩類？若金屬之功函數(ϕ)< N型半導體之功函數(ϕ)，請ms繪出金屬與N型半導體接面之能帶，並說明此類接面屬於那一類接面。（20 分）
申論 3請繪出以下之能帶圖：（每小題5 分，共10 分）㈠N+ -AlGaAs與本質之GaAs㈡N+ - AlGaAs與p-GaAs（假設AlGaAs能隙為1.85 eV，GaAs能隙為1.42 eV，∆Ec=（2/3）∆Eg）
申論 4晶圓元件製作過程中，涉及晶圓預烤（Prebake）、光阻軟烤（Soft bake）、光阻硬烤（Hard bake）等步驟，請說明此些步驟之目的。（15 分）
申論 5一片6"晶圓被帶雙電子之離子以1013 ions/cm2植入1 分鐘，請問需多少beam current？（10 分）
申論 6請說明太陽能電池之工作原理，並繪出電流-電壓關係圖，與標示出最大之功率點。（10 分）
申論 7欲將N 型半導體電性改為P 型半導體，有那幾種做法？（5 分）
申論 8量測半導體電阻率時可用四點探針法，請說明其裝置與用此方法之優點。（10 分）