申論 1砷化鎵（GaAs）半導體在T=300 K 之本質載子濃度n =1.810cm，其i施體雜質與受體雜質濃度分別為N=210cm及N=0，且為完全解離。×DA假設電子與電洞之遷移率分別為μ=8500 cm2/V-s 及μ=400 cm2/V-s；單位np電量q=1.610C。試求：㈠電子與電洞濃度分別為何？（10 分）㈡若外加電場為E=15 V/cm，其漂移電流密度為何？（10 分）
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申論 2㈠請輔以數學表示式說明影響半導體「導電率（conductivity）」之因素為何？（10 分）㈡載子傳輸包含漂移（drift）與擴散（diffusion）兩種主要機制。請輔以數學表示式說明影響半導體「電流密度（current density）」之因素為何？（10 分）
申論 3p-n 接面二極體與蕭特基能障（Schottky barrier）二極體均可具有整流（rectification）功效。請輔以數學表示式說明影響上述兩者元件之「逆向飽和電流密度（reverse-saturation current density）」之因素分別為何？（20 分）
申論 4矽半導體n 通道金屬-氧化物-半導體場效電晶體（MOS-FET）之閘極長度L = 1.25 μm、電子遷移率μ = 650 cm2/V-s、臨界電壓V = 0.65 V、nth閘極氧化層電容C = 6.9 × 10F/cm，且測得在閘-源極偏壓V = 5 VoxGS之汲極飽和電流（I）值為8 mA。試求閘極寬度（W）為何？（20 分）D, sat
申論 5試就「加熱週期」、「加熱率」、「熱預算」、「製程產能」等四項因素，分別比較傳統爐管熱退火與快速熱退火（RTA）技術之差異？（20 分）