高普考題庫
95 年 095年公務人員高等考試三級考試暨普通考試

半導體工程

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本卷皆為申論題，點「看答案與解析」查看擬答。

申論 1請說明積體電路（IC）製程中“ 60 奈米＂製程代表何種意義？是指何種元件之那一部分之尺寸？（10 分）
申論 2無塵室潔淨度之定義class 100 代表何種意義？（10 分）
申論 3一個發光二極體其材料特性如圖一，此元件電－光轉換效率為4 nn(1-cosθ)/(n+n)2，12c12其中n 為空氣折射係數，n 為半導體折射係數，θ 為臨界角，求AlGaAs 發光12c0.30.7二極體操作在0.898 µm 之效率。（20 分）3.0 E=3.018hv=1.38g3.5T=297K）2.168Eg=1.9 neVRefractive index（IndirectEgbandBandgap Direct3.2bandEg=1.424A1xGa1-xAs3.0T=297KGaAsAlAsGaAsAlAsMole fraction AlAs, xMole fraction AlAs, x（a） （b）圖一 發光二極體材料特性
申論 4請計算IC 晶粒中訊號線之電阻㈠若電阻材料為鋁，其電阻率3 µΩ · cm，其尺寸為寬：3 µm，厚度：1 µm，長度：500 µm。（10 分）㈡若電阻材料為銅，其電阻率2 µΩ · cm，其尺寸為寬：0.3 µm，厚度：0.5 µm，長度：1 mm。（10 分）類 科： 電子工程科 目： 半導體工程
申論 5於室溫時，一個理想二極體有一短路電流3 安培（Amp），開路電壓0.6伏特（Volt）；㈠計算並繪出以電壓為函數之輸出功率圖。（10 分）㈡計算填滿因子（Fill Factor）。（10 分）
申論 6若一光阻塗佈於晶圓上，其圖案如圖二，請於試卷上繪出㈠濕蝕刻，㈡電漿蝕刻，㈢以電鍍製程鍍膜，㈣以熱蒸鍍系統鍍上金屬後，個別之表面圖案為何？（20 分）光阻晶 圓圖二 光阻塗佈於晶圓上之圖案