申論 1DRAM 記憶體單元是由一個電晶體與一個電容所組成。若記憶體面積為1µm2，且電容具4 nm 之SiO介電層，又工作電壓為2V，請問有多少電子儲存在記憶體單元。（SiO 介電常數：3.9）（10 分）
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申論 2請說明兩種矽晶棒（Ingot）之製作方式，並比較其優缺點。（20 分）
申論 3Si 於電漿中被蝕刻是根據以下之反應：Si(s) + 2Cl(g) → SiCl(g)。若通入氯氣流量為100 sccm，請問理論之200 mm 直徑之矽晶圓最大蝕刻率為多少？（Si atom weight: 28.09，Density: 2.329 g/cm3）（15 分）
申論 4請說明常用之物理性鍍膜有那三類？試比較其優缺點。（15 分）
申論 5從下表之<100>Ｓi 於TMAH 之蝕刻速率，求其蝕刻之活化能（activation energy）。（10 分）Temp（oC） Rate（µm/hr）
申論 6以PN 二極體為例，說明其空間電荷形成之原因，並說明於何處其電場強度最大。（20 分）
申論 7試比較傳統反應性離子蝕刻技術（RIE）與高密度電漿蝕刻（ICP）之不同。（10 分）