申論 1請計算下列溶液的pH 值：㈠0.1 M CH3COOH（CH3COOH: Ka= 1.75×10-5）（5 分）㈡0.1 M H2SO4（Ka1: strong, Ka2 = 1.02×10-2）（5 分）㈢0.4 M NH3（Kb = 1.8×10-5）（5 分）㈣0.2 M HCOOH 和0.3 M HCOONa（HCOOH: Ka = 1.8×10-4）（5 分）
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弱點分析
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申論 2有一反應2NO(g) + 2H2(g) → N2(g) + 2H2O(g)，下列數據為進行三組實驗所得的起始反應速率（Initial Rate）實驗 [NO] (M) [H2] (M) Initial Rate (M/s)1 5.0×10-3 2.0×10-3 1.25×10-52 10.0×10-3 2.0×10-3 5.00×10-53 10.0×10-3 4.0×10-3 10.00×10-5㈠請寫出此反應的速率定律（rate law），並說明反應的級數（reaction order）為何？（7 分）㈡承㈠題，請計算速率常數（k）？（3 分）㈢若有另ㄧ個反應：A → 產物，反應的速率定律為rate=k[A]，請寫出此反應的積分速率定律（integrated rate law）為何？（5 分）㈣承㈢題，若速率常數為6.7×10-4 s-1，需要多少時間才能將74%的A 轉成產物？（5 分）
申論 3有四種物質分別是O2、O2+、O2-及O22-㈠請用分子軌域理論（molecular orbital theory）分別寫出這四種物質的電子組態。（8 分）㈡請比較這四種物質的鍵序（bond order，由大到小排列）。（8 分）㈢請分別寫出這四種物質的磁性（順磁性或反磁性）。（4 分）
申論 4㈠請說明查理定律（Charles’s law）。（5 分）㈡請解釋何謂包立不相容原理（Pauli-exclusion principle）。（5 分）㈢請分別描述何謂氧化反應和還原反應？（5 分）㈣請分別說明何謂p 型半導體（p-type semiconductor）和n 型半導體（n-typesemiconductor）。（5 分）
申論 5㈠在溫度25°C 時有下列兩個反應：反應A：△H = 3.5 kJ/mol，△S = 30 J/K．mol反應B：△H = 10.5 kJ/mol，△S = 20 J/K．mol在室溫下，那一個反應為自發性反應？（6 分）㈡承㈠題，在室溫下那一個反應為非自發性反應？請問當溫度為幾度時此反應為自發性反應（8 分）㈢在室溫下，氯化銀的溶解度積常數為Ksp = 1.6×10-10，請用溶解度積常數計算此反應AgCl(s) = Ag+(aq) + Cl-的反應標準自由能△Go（standard free-energy of(aq)reaction）？（R = 8.314 J/K．mol，lnA = 2.303logA）（6 分）