高普考題庫
99 年 099年公務人員高等考試三級考試暨普通考試

半導體工程

這科隨機練其他年份

本卷皆為申論題，點「看答案與解析」查看擬答。

申論 1如圖所示的三種0K 的能帶圖，何者是導體、半導體、絕緣體？請說明理由。（15 分）EmptyEmptyEgEgOverlapFilled FilledA B C
申論 2請寫出載子遷移率（mobility）和載子平均移動速度的關係式。並解釋為什麼電場很強的時候，載子遷移率會降低。（20 分）
申論 3有一p-n接面，如果逆向偏壓1V時候的電容值是1 nF/cm2，請問總空乏區寬度是多少？（15 分）（提示：ε(Si) = 11.7，ε= 8.854×10-14 F/cm）ro
申論 4請畫出p-型矽基板的金氧半電容的高頻與低頻電容-電壓特性曲線，並說明為何不同。（20 分）
申論 5請繪圖說明薄膜沈積的sidewall step coverage 和bottom step coverage 的定義，並簡單解釋這兩個值通常小於1 的原因。（15 分）
申論 6下圖是一個典型的離子佈植機的架構，請說明圖中Analyzing magnet、Accelerationtube、y-axis scanner 的作用。（15 分）+ -180 KVEquipmentNeutral beam trapground Beam trap andNeutralResolving aperture and beam gategate plate and beampath gate90°FocusAnalyzing Accelerationmagnet y-axistubescanner x-axisWafer inscanner wafer proIonchambersource 40 kV VacuumTerminalground system