高普考題庫
100 年 100年公務人員高等考試三級考試暨普通考試

電子學

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申論 1如圖一之放大器，若MOSFET的轉導（transconductance）等於g，輸出電阻等於rmo，耦合電容C及C接近無限大，試求放大器的：C1C2υ㈠電壓增益A=o=？（10 分）vυi㈡輸入電阻R=？（5 分）in㈢輸出電阻R=？（5 分）outVDDCC1CC2RGυOυiIRLRinRoutVSS圖一
申論 2如圖二之振盪器，所有運算放大器均為理想，試推導出電路的振盪頻率ω。（20 分）o圖二
申論 3如圖三之放大器，若M與M的轉導分別為g與g，不考慮M與M的輸出電阻，試12m1m212I利用回授（feedback）理論，求出電流放大倍率A=out=？（20 分）ifIinVDDRDIoutM2M1IinRFRS圖三年公務人員高等考試三級考試試題代號：、類 科： 電力工程、電子工程科 目： 電子學
申論 4圖四所示為運算放大器的小訊號等效電路，V為運算放大器的輸入電壓，V為輸出idoV電壓，試推導出該運算放大器增益o的零點（zero）。（20 分）Vid圖四⎛W⎞⎛W⎞
申論 5圖五所示為CMOS反相器，其中Q與Q之參數μC⎜N⎟=μC⎜P⎟，臨界電NPnox⎜⎟pox⎜⎟⎝L⎠⎝L⎠NP壓（threshold voltage）V=V=V，試推導出此反相器於輸出高電位時之雜訊邊tntpt限（noise margin）NM與輸出低電位時之雜訊邊限NM。（20 分）HL圖五