申論 1請繪出典型之導體、半導體、絕緣體之能帶圖（energy band diagram），並簡述該能帶圖所代表之意義。（15 分）
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弱點分析
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申論 2在一均勻半導體材料中，其本質載子濃度（intrinsic carrier concentration）為n、i本質費米能階（intrinsic Fermi energy）為E、費米能階（Fermi energy）為E，當iF絕對溫度為T，而Boltzmann常數為k時，其自由電子（electron）濃度n為何？電洞B（hole）濃度p為何？若此半導體材料為n型，其摻雜濃度N為1016/cm3而n= 1.45Di× 1010/cm3時，求電洞之濃度。（10 分）
申論 3在一半導體材料中，請寫出電子電流流動方程式（current flow equation），並定義各參數及說明方程式中各項之物理意義。（15 分）
申論 4在一半導體材料中，請寫出電洞之連續方程式（continuity equation），並定義各參數及說明方程式中各項之物理意義。（10 分）
申論 5一p-n 接面二極體（junction diode）在交換應用（switching application）之順向（forward）與逆向偏壓（reverse bias）切換時具電容（capacitance）效應，請說明順向與逆向偏壓時之電容效應及物理意義。（10 分）
申論 6請繪出n通道MOSFET之典型電流（I）-電壓（V, V）特性圖，並說明其原理。（DDSGS15 分）
申論 7請列出兩種在矽（Si）基片上成長氧化層的方法，並簡述其成長原理及兩者成長膜之性質差異。（15 分）
申論 8請列出兩種在半導體基片上摻雜雜質（impurity）的方法，並簡述其原理及兩者摻雜之性質差異。（10 分）