申論 1若一個半導體中電子的漂移速度v 與外加電場E 之間的關係可被模擬為：aEv=⎛a⎞21+⎜⎝⎟⎠E2b求該半導體之：㈠遷移率（mobility）μ。（7 分）㈡飽和速度（saturation velocity）v。（7 分）sat
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弱點分析
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申論 2下圖是砷化鎵的能帶結構圖。㈠請說明n 型砷化鎵為何會顯現負微分遷移率（negative differential mobility）。（9 分）㈡請由你的說明歸納出半導體會具有負微分遷移率的幾個必要條件。（9 分）GaAs 傳導帶較高能谷ΔE=0.31較低能谷Eg價電帶[111]0[100]
申論 3㈠說明如何從一個pn二極體的順向偏壓I-V特性來得到逆向飽和電流（reversesaturation current）I。（8 分）s㈡為何不直接從pn 二極體的逆向偏壓I-V 特性得到逆向飽和電流，有何實際困難？（8 分）
申論 4在一個pn 接面中包含兩個寄生電容：接面電容（junction capacitance）及擴散電容（diffusion capacitance）。㈠說明這兩個電容的成因為何？（6 分）㈡在順向偏壓下，主控的電容會是那一個？為什麼？（6分）㈢在逆向偏壓下，主控的電容會是那一個？為什麼？（6 分）101年公務人員高等考試三級考試試題 代號：36080類 科： 電子工程科 目： 半導體工程
申論 5㈠繪圖說明雙極性接面電晶體的基極寬度調變（base width modulation）效應。（6 分）㈡繪出集極電流對基極集極間電壓之關係，並說明基極寬度調變效應對集極電流的影響。（6 分）
申論 6㈠ 使用Czochralski法（CZ法）拉晶矽晶棒過程中，限制拉晶速率的主要因素為何？（6分）㈡使用CZ 法拉晶時，大部分的雜質都會被排斥而無法進入晶棒之中，只有那一種雜質會傾向進入矽晶棒？為什麼？（6 分）
申論 7氫氟酸（HF）是二氧化矽的良好蝕刻劑，但卻無法蝕刻矽。說明如何使用包含氫氟酸的混合溶液來蝕刻矽？（10 分）