申論 1一部純鍺偵檢器經加高壓後，其耗乏區（depletion region）為20 mm厚，目前用來測量0.1 MeV之加馬射線。假設0.1 MeV加馬射線對鍺之光電效應質量衰減係數為0.2 cm2/g，而鍺之密度為5.323 g/cm3，請問本純鍺偵檢器之本質（intrinsic）偵檢效率為何？假設純鍺偵檢器之窗口、電極以及無感層，吸收光子之機率為零；同時假設耗乏區表面貼著射源無距離，而且康譜吞散射忽略不計。（15 分）
本卷皆為申論題，點「看答案與解析」查看擬答。
弱點分析
未作答的題目不計分。看我的紀錄
申論 2測量中子反應器之中子通率，我們利用金箔（重量為5×10-6 g）中子活化分析方法，將金箔置入爐心照射10 min，冷卻2.696 d以後，以純鍺偵檢器測量0.4118 MeV之全能峰10 分鐘，扣除背景後得到3,000,000 個計數。請問中子反應器之中子通率為何？（197Au(n, γ) 198Au之反應截面為98.5 barn；198Au半衰期為2.696 d；198Au發射0.4118MeV其branch ratio=98.6%；Au密度為19.3 g/cm3；自然豐度為100% 197Au；已知純鍺偵檢器於0.4118 MeV之全能峰偵檢效率為0.5%；Au之原子量為197.0。）（15 分）
申論 3一個射源，經測量1 h 得810 計數。射源移除後，測量其背景計數1 h 為800 計數。請問射源之強度及其誤差各為多少？單位請用counts/h。目前量測共花了兩小時，若欲將百分比誤差（精密度precision 或uncertainty）降低10 倍，則共需要測量多少小時？（假設測量背景所需之時間與測量試樣之時間相同）（15 分）
申論 4請簡述中子補償游離腔（Compensated ionization chamber）偵檢器之構造及基本操作原理。（15 分）
申論 5一部蓋革偵檢器（end window type）用來量測一個α 及γ 之混合射源。請寫出一個方案以估計α 及γ 分別占有多少？（15 分）
申論 6請解釋下列各名詞：（每小題5 分，共25 分）㈠NIM modules㈡Bragg Curve㈢W-value㈣楷方檢驗法（Chi-square test）㈤無感時間（Dead time）