申論 1㈠說明重摻雜半導體為什麼會出現能隙窄化（bandgap narrowing）的現象？（6 分）㈡能隙窄化對雙極接面電晶體之射極注入效率（emitter injection efficiency）因數γ有何影響？（6 分）
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弱點分析
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申論 2對一半導體進行霍爾效應量測（Hall effect measurement），磁場B 是由外垂直指向頁面，外加電場E 方向指向右邊，量測所得到的霍爾電場E 是由上往下，如下圖H所示，且此半導體的長度、寬度、高度分別為l、d、h，量測所得到的電流密度為J，則：× × × × × × × × × × × ×× × × × × × × × × × × ×d EH× × × × × × × × × × × ×電場 E× × × × × × × × × × × ×l㈠多數載子會在上圖半導體那一邊堆積？此半導體為n 型抑或是p 型？（5 分）㈡求多數載子的遷移率（majority carrier mobility）。（5 分）㈢求多數載子的濃度（majority carrier concentration）。（5 分）
申論 3蕭特基二極體（Schottky diode）與pn 接面二極體擁有類似的電流─電壓特性，但是，這兩者的電流大小、主控機制、元件切換特性卻有顯著的差異。㈠說明這兩種二極體的電流傳導的主控機制有何不同？（6 分）㈡說明這兩種二極體的順向偏壓電流及開啟電壓（turn-on voltage）有何不同？（6 分）㈢說明這兩種二極體的切換特性有何不同？ （6 分）102年公務人員高等考試三級考試試題 代號：36080類 科： 電子工程科 目： 半導體工程
申論 4下圖是一個n 型半導體的電子濃度與溫度倒數之間的關係圖。圖中可以分為三段區域：(3)(2)電1016 (1)子密度n 1015(cm-3)1000/T (K-1)㈠區域⑴之中電子的主要來源是什麼？（3 分）㈡區域⑶之中電子的主要來源是什麼？（3 分）㈢由區域⑴之中的斜率可決定此半導體的什麼參數？（3 分）㈣由區域⑶之中的斜率可決定此半導體的什麼參數？（3 分）㈤圖中半導體中的施體摻雜濃度是多少？（3 分）
申論 5在熱氧化製程中，分析發現氧化物厚度x 與氧化時間t 之間的關係為下列的二次方ox程式：x2+Ax=Btoxox㈠在剛開始氧化的初期，求氧化物厚度x=？（表示為t 之函數）（5 分）ox㈡當氧化反應持續很久之後，求氧化物厚度x=？（表示為t 之函數）（5 分）ox下列實驗數據是在920°C 下進行溼氧化所得到的原始成長速率關係：時間t(hr) 0.11 0.30 0.40 0.50 0.60氧化物厚度x(μm) 0.0410.100 0.128 0.1530.177ox由上述實驗數據求該氧化製程的係數：㈢ A=？（5 分）㈣B=？（5 分）
申論 6一般的化學溶液蝕刻劑都是等向性蝕刻劑（isotropic etchant），會往所有方向均勻地蝕刻，造成圓角的截面特徵。相對地，非等向性蝕刻劑（anisotropic etchant）比較喜歡在一個方向上蝕刻，造成由平坦且明確定義的表面所界定的壕溝或腔體。氫氧化鉀（KOH）是截至目前最常使用之矽的非等向性蝕刻劑。㈠那一個結晶平面是KOH 蝕刻速率特別低的平面？（5 分）㈡造成此結晶平面蝕刻選擇性的起源為何？（5 分）㈢什麼材料可以作為KOH 蝕刻的罩幕材料？（5 分）㈣什麼材料可以作為KOH 蝕刻停止（stop）？（5 分）