103 年 103年公務人員高等考試三級考試暨普通考試・半導體工程 申論 3一個陡峭（abrupt）P+N 接面，N= 1019/cm3、N = 1017/cm3。求內建電位（built-inA Dpotential），以及未外接偏壓時的空乏區寬度（depletion width）。T = 300 K,k= 8.62 ×10-5 eV/K, n= 1.45 ×1010/cm3, ε = 11.9, ε = 8.854 ×10-14 F/cm, q = 1.6 × 10-19 C。B i Si0計算空乏區寬度時可忽略P 邊的空乏區。（20 分） 看答案與解析