103 年 103年公務人員高等考試三級考試暨普通考試・半導體工程 申論 4一個N+PN 雙極性電晶體，其射極與基極的雜質濃度分別為N 與N，電洞與電子DA的擴散長度分別為L 與L，基極中性區的厚度為W。若電晶體處於順向作用區pn（forward active），基極中性區靠射極側的邊緣被注入的電子濃度為n(0)，而靠集p極側的電子濃度為n。假設電子的擴散長度L>>W，電子的復合生命期為τ、擴p0nn散係數為D。說明電子在基極中性區的傳導過程、分布的形式，並求電子貢獻的集n極電流密度J 以及基極電流密度J。（20 分）CB 看答案與解析